华为展示 eFlash 的替代方案，VLSI 2025亮点曝光

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文章摘要

第45届VLSI 技术与电路研讨会将于2025年6月8日至12日在日本京都举行，主题为“培育超大规模集成电路花园：从创新种子到蓬勃发展”。此次研讨会旨在整合先进技术发展、创新电路设计及其应用，推动全球社会向智能互联设备、基础设施和系统新时代转型。会议共录用常规论文251篇，邀请论文12篇，以及4篇全体报告。美国、韩国和中国大陆分别以57篇、54篇和52篇的录用数量位居前三。

在CMOS技术领域，英特尔详细介绍了其18A平台技术，采用RibbonFET和Power Via技术，性能提升25%，功耗降低36%。台积电展示了单层WSe2沟道背栅PMOS器件，导通电流达到400 µA/µm，亚阈值摆幅为72 mV/dec。东京大学和奈良先端科学技术大学院大学则利用原子层沉积工艺生长的晶体InGaOx材料，显著提升了迁移率和偏置应力可靠性。

存储技术方面，三星展示了286层第九代3D-NAND闪存，位密度提升50%。华为展示了采用氧化铪锆材料的高性能1T1C 3D FeRAM测试芯片，数据保存时间达10年，并在125°C下稳定运行。美光则展示了第二代微缩铁电NVDRAM，解决了多项材料和电气难题，确保在减小尺寸的情况下保持性能。

图像传感器领域，索尼展示了背照式10微米间距SPAD深度传感器，光子探测效率达42.5%。佳能推出了一款用于汽车应用的SPAD图像传感器，动态范围达156 dB。北京大学展示了一款基于1T 22nm FDSOI像素的128×128图像传感器，光敏度达5×105 A/W。

在生物医学设备、电路和系统方面，北京大学、南方医科大学和南方科技大学的团队展示了一种用于癫痫发作检测和预测的可重构神经网络加速器，灵敏度达99%。Imec报告了一种用于3D类器官接口的有源硅穿孔微电极阵列，可实现低噪声、高分辨率记录和刺激。

数据转换方面，东京大学提出了一款14位560 MS/s ADC，信噪比达72.14 dB。韩国科学技术研究院推出了首款统一神经视频处理器NuVPU，性能高达36.9 TOPS/W。NVIDIA展示了一种用于2.5D和3D堆叠芯片互连的自定时芯片间串行链路，带宽达8Gbps/pin。

在电源管理器件和电路方面，Sogang大学展示了一款基于电流镜的模拟辅助数字低压差稳压器，输出电压纹波小于1 mV。加州大学伯克利分校的研究人员报告了一款异构系统级芯片MAVERIC，峰值能效达8 TOPS/W。

在无线和射频设备电路和系统方面，东京科学研究所牵头的一项合作项目推出了一款用于移动设备的超紧凑型无线模块集成电路，数据传输速率达56 Gb/s。英特尔展示了一款基于DAC的全集成128 Gb/s发射器，能效为0.67 pJ/bit。

最后，SK海力士、英伟达、联发科和ST的专家分享了他们对产业未来发展的观点。SK海力士首席技术官Seon-Young Cha介绍了DRAM技术的创新方向，英伟达技术与代工管理副总裁John Chen强调了VLSI在人工智能时代的重要性，联发科技公司高级副总裁Kou-Hung Lawrence Loh探讨了生成式人工智能的挑战与机遇，意法半导体执行副总裁兼首席创新官Alessandro Cremonesi则讨论了边缘AI的演变与潜力。