永铭与纳微半导体深度配合,IDC3牛角电容推动AI服务器电源迈向更高功率

AIGC动态5天前发布 admin
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永铭与纳微半导体深度配合,IDC3牛角电容推动AI服务器电源迈向更高功率

 

文章摘要


【关 键 词】 AI服务器电源氮化镓电容器小型化

AI服务器迈向更高算力的进程中,电源的高功率与小型化成为关键挑战。2024年,多家半导体企业推出了创新技术以提升AI服务器的电源功率密度。纳微推出了GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代碳化硅MOSFETs,意法半导体推出了新型硅光技术PIC100,英飞凌则推出了CoolSiC™ MOSFET 400 V。这些技术的推出,标志着AI服务器电源技术进入了一个新的发展阶段。

随着电源功率密度的持续攀升,被动元器件也面临着小型化、大容量和高可靠性的严苛要求。永铭与各合作伙伴深度配合,致力于为更高功率的AI服务器电源打造高性能电容器解决方案。永铭成功开发出高压牛角型铝电解电容IDC3系列,并成功应用于纳微发布的4.5kW和8.5kW高密度AI服务器电源方案中。这一合作不仅验证了永铭在高能量密度与小型化设计领域的领先技术实力,更为AI服务器电源的功率密度提升提供了关键支撑。

IDC3系列作为永铭专为AI服务器电源推出的高压牛角型铝电解电容,通过12项技术革新,具备了耐大纹波电流、高容量密度和长寿命等核心优势。在同体积下,IDC3系列做到了更大容量,满足了AI服务器电源对空间与性能的严苛需求。相较于常规产品,IDC3系列在体积上缩减了25%-36%,在纹波电流承载值上提升了20%,ESR值降低了30%,使得在相同条件下温升更低,从而提高了可靠性和寿命。在105℃高温环境下,IDC3系列的寿命可达3000小时以上,特别适合不间断运行的AI服务器应用场景。

IDC3系列牛角电容的成功应用,不仅解决了AI服务器电源的痛点,还为未来更高功率的AI服务器电源提供了技术保障。永铭将继续深耕电容技术,为各合作伙伴提供更优质、更高效的电容器解决方案,共同突破AI服务器电源功率密度极限,面向即将到来的12kW乃至更高功率AI服务器电源时代。永铭的IDC3系列产品已获得AEC-Q200的产品认证和第三方国际机构的可靠性认证,进一步证明了其在行业中的领先地位。

通过持续的技术创新和与合作伙伴的深度配合,永铭在AI服务器电源领域取得了显著进展。IDC3系列牛角电容的成功应用,不仅提升了AI服务器电源的功率密度,还为未来更高功率的AI服务器电源提供了可靠的技术支持。永铭将继续致力于为行业提供更高效、更可靠的电容解决方案,推动AI服务器电源技术的进一步发展。

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【原文作者】 半导体行业观察
【摘要模型】 deepseek-v3
【摘要评分】 ★★★☆☆

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