标签:极紫外光刻

EUV光刻机“秘史”!

光刻技术作为半导体制造的核心工艺,其发展历程直接推动了摩尔定律的实现。从20世纪70年代至今,晶体管尺寸从约10000纳米缩小至20-60纳米,这一突破主要依赖...

替代EUV光刻,新方案公布!

在全球半导体行业追求更高密度、更高性能的芯片制造的背景下,极紫外(EUV)光刻技术成为了关键。目前,这种技术依赖于极紫外光源,其产生过程复杂且成本高昂...